Регистрация
Например: Разбился экран на iphone
Например: Ноутбук asus не включается

Модули памяти Samsung

Модуль памяти Samsung DDR2 667 SO-DIMM 1Gb
DDR2 667 (PC2 5300) SODIMM 200-контактный, 1x1 Гб, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти Samsung DDR2 667 SO-DIMM 2Gb
DDR2 667 (PC2 5300) SODIMM 200-контактный, 1x2 Гб, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти Samsung DDR2 800 SO-DIMM 1Gb
DDR2 800 (PC2 6400) SODIMM 200-контактный, 1x1 Гб, 1.8 В
Модуль памяти Samsung DDR 400 DIMM 1Gb
DDR 400 (PC 3200) DIMM, 1x1 Гб
Модуль памяти Samsung DDR2 800 DIMM 2Gb
DDR2 800 (PC2 6400) DIMM 240-контактный, 1x2 Гб, 1.8 В
Модуль памяти Samsung DDR2 800 DIMM 1Gb
DDR2 800 (PC2 6400) DIMM 240-контактный, 1x1 Гб, 1.8 В
Модуль памяти Samsung DDR 400 DIMM 512Mb
DDR 400 (PC 3200) DIMM, 1x512 Мб
Модуль памяти Samsung DDR3 1333 DIMM 2Gb
DDR3 1333 (PC 10600) DIMM 240-контактный, 1x2 Гб, 1.5 В, CL 9
Модуль памяти Samsung DDR3 1333 DIMM 1Gb
DDR3 1333 (PC 10600) DIMM 240-контактный, 1x1 Гб, 1.5 В, CL 9
Модуль памяти Samsung DDR3 1333 Registered ECC DIMM 4Gb
DDR3 1333 DIMM 240-контактный, 1x4 Гб, буферизованная, ECC, 1.5 В, CL 9
Модуль памяти Samsung DDR2 800 FB-DIMM 4Gb
DDR2 800 FB-DIMM 240-контактный, 1x4 Гб, буферизованная, ECC, 1.8 В
Модуль памяти Samsung DDR3 1066 SO-DIMM 1Gb
DDR3 1066 SODIMM 204-контактный, 1x1 Гб, 1.5 В, CL 7
Модуль памяти Samsung DDR2 667 FB-DIMM 4Gb
DDR2 667 (PC2 5300) FB-DIMM 240-контактный, 1x4 Гб, буферизованная, ECC, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти Samsung DDR2 667 FB-DIMM 2Gb
DDR2 667 (PC2 5300) FB-DIMM 240-контактный, 1x2 Гб, буферизованная, ECC, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти Samsung DDR3 1333 Registered ECC DIMM 2Gb
DDR3 1333 DIMM 240-контактный, 1x2 Гб, буферизованная, ECC, 1.5 В, CL 9
Модуль памяти Samsung DDR 333 Registered ECC DIMM 2Gb
DDR 333 (PC 2700) DIMM 184-контактный, 1x2 Гб, буферизованная, ECC
Модуль памяти Samsung DDR3 1066 Registered ECC DIMM 4Gb
DDR3 1066 DIMM 240-контактный, 1x4 Гб, буферизованная, ECC, 1.5 В, CL 7
Модуль памяти Samsung DDR2 667 SO-DIMM 512Mb
DDR2 667 (PC2 5300) SODIMM 200-контактный, 1x512 Мб, 1.8 В
Модуль памяти Samsung DDR3 1066 DIMM 1Gb
DDR3 1066 (PC 8500) DIMM 240-контактный, 1x1 Гб, 1.5 В, CL 7
Модуль памяти Samsung DDR 266 Registered ECC DIMM 2Gb
DDR 266 (PC 2100) DIMM 184-контактный, 1x2 Гб, буферизованная, ECC, 2.5 В
Модуль памяти Samsung DDR3 1333 DIMM 4Gb
DDR3 1333 DIMM 240-контактный, 1x4 Гб, 1.5 В, CL 9
Модуль памяти Samsung DDR2 800 FB-DIMM 2Gb
DDR2 800 (PC2 6400) FB-DIMM 240-контактный, 1x2 Гб, буферизованная, ECC, 1.8 В
Модуль памяти Samsung DDR2 667 Registered ECC DIMM 4Gb
DDR2 667 DIMM 240-контактный, 1x4 Гб, буферизованная, ECC, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти Samsung DDR3 1333 SO-DIMM 1Gb
DDR3 1333 SODIMM 204-контактный, 1x1 Гб, 1.5 В, CL 9
Модуль памяти Samsung DDR3 1066 SO-DIMM 2Gb
DDR3 1066 SODIMM 204-контактный, 1x2 Гб, 1.5 В, CL 7
Модуль памяти Samsung DDR3 1333 SO-DIMM 4Gb
DDR3 1333 SODIMM 204-контактный, 1x4 Гб, 1.5 В, CL 9
Модуль памяти Samsung DDR2 667 DIMM 256Mb
DDR2 667 (PC2 5300) DIMM, 1x256 Мб
Модуль памяти Samsung Low Profile DDR 266 Registered ECC
DDR 266 (PC 2100) DIMM, 1x1 Гб, буферизованная, низкопрофильная, ECC
Модуль памяти Samsung Low Profile DDR 333 Registered ECC
DDR 333 (PC 2700) DIMM, 1x2 Гб, буферизованная, низкопрофильная, ECC
Модуль памяти Samsung DDR2 400 Registered ECC DIMM 1Gb
DDR2 400 (PC2 3200) DIMM, 1x1 Гб, буферизованная, ECC
Модуль памяти Samsung DDR2 533 ECC DIMM 1Gb
DDR2 533 (PC2 4200) DIMM 240-контактный, 1x1 Гб, ECC, 1.8 В, CL 3
Модуль памяти Samsung DDR2 400 Registered ECC DIMM 512Mb
DDR2 400 (PC2 3200) DIMM 240-контактный, 1x512 Мб, буферизованная, ECC, 1.8 В, CL 3
Модуль памяти Samsung DDR2 400 Registered ECC DIMM 2Gb
DDR2 400 (PC2 3200) DIMM 240-контактный, 1x2 Гб, буферизованная, ECC, 1.8 В
Модуль памяти Samsung DDR2 667 FB-DIMM 512Mb
DDR2 667 (PC2 5300) FB-DIMM 240-контактный, 1x512 Мб, буферизованная, ECC, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти Samsung DDR3 1600 ECC DIMM 1Gb
DDR3 1600 DIMM 240-контактный, 1x1 Гб, ECC, 1.5 В
Модуль памяти Samsung DDR3 1333 Registered ECC DIMM 1Gb
DDR3 1333 DIMM 240-контактный, 1x1 Гб, буферизованная, ECC, 1.5 В, CL 9
Модуль памяти Samsung DDR3 1066 SO-DIMM 4Gb
DDR3 1066 SODIMM 204-контактный, 1x4 Гб, 1.5 В, CL 7
Модуль памяти Samsung DDR3 1066 Registered ECC DIMM 2Gb
DDR3 1066 DIMM 240-контактный, 1x2 Гб, буферизованная, ECC, 1.5 В, CL 7
Модуль памяти Samsung DDR3 1333 Registered ECC DIMM 8Gb
DDR3 1333 DIMM 240-контактный, 1x8 Гб, буферизованная, ECC, 1.5 В, CL 9
Модуль памяти Samsung DDR3 1066 DIMM 4Gb
DDR3 1066 DIMM 240-контактный, 1x4 Гб, 1.5 В, CL 7
Модуль памяти Samsung DDR3 1600 DIMM 4Gb
DDR3 1600 DIMM 240-контактный, 1x4 Гб, 1.5 В
Модуль памяти Samsung DDR3 1600 DIMM 2Gb
DDR3 1600 DIMM 240-контактный, 1x2 Гб, 1.5 В
Модуль памяти Samsung DDR3 1600 DIMM 1Gb
DDR3 1600 DIMM 240-контактный, 1x1 Гб, 1.5 В
Модуль памяти Samsung DDR3 1066 ECC DIMM 1Gb
DDR3 1066 DIMM 240-контактный, 1x1 Гб, ECC, 1.5 В, CL 7
Модуль памяти Samsung DDR3 1066 ECC DIMM 2Gb
DDR3 1066 DIMM 240-контактный, 1x2 Гб, ECC, 1.5 В, CL 7
Модуль памяти Samsung DDR3 1066 ECC DIMM 4Gb
DDR3 1066 DIMM 240-контактный, 1x4 Гб, ECC, 1.5 В, CL 7
Модуль памяти Samsung DDR3 1333 ECC DIMM 1Gb
DDR3 1333 DIMM 240-контактный, 1x1 Гб, ECC, 1.5 В, CL 9
Модуль памяти Samsung DDR3 1333 ECC DIMM 2Gb
DDR3 1333 DIMM 240-контактный, 1x2 Гб, ECC, 1.5 В, CL 9
Модуль памяти Samsung DDR3 1333 ECC DIMM 4Gb
DDR3 1333 DIMM 240-контактный, 1x4 Гб, ECC, 1.5 В, CL 9