Регистрация
Например: Разбился экран на iphone
Например: Ноутбук asus не включается

Модули памяти TakeMS

Модуль памяти TakeMS DDR2 667 DIMM 512Mb
DDR2 667 (PC2 5300) DIMM 240-контактный, 1x512 Мб, 1.8 В
Модуль памяти TakeMS DDR2 800 DIMM 1Gb
DDR2 800 (PC2 6400) DIMM 240-контактный, 1x1 Гб, 1.8 В
Модуль памяти TakeMS DDR 400 SO-DIMM 512Mb
DDR 400 (PC 3200) SODIMM, 1x512 Мб
Модуль памяти TakeMS DDR 333 SO-DIMM 512Mb
DDR 333 (PC 2700) SODIMM 200-контактный, 1x512 Мб
Модуль памяти TakeMS DDR2-1066 DIMM Mach2 2x1Gb
DDR2 1066 (PC2 8500) DIMM 240-контактный, 2x1 Гб, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти TakeMS DDR2 800 SO-DIMM 2Gb
DDR2 800 (PC2 6400) SODIMM 200-контактный, 1x2 Гб, 1.8 В
Модуль памяти TakeMS DDR2 800 DIMM 2Gb
DDR2 800 (PC2 6400) DIMM 240-контактный, 1x2 Гб, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти TakeMS DDR3 1066 DIMM 1Gb
DDR3 1066 (PC 8500) DIMM 240-контактный, 1x1 Гб, 1.5 В, CL 7
Модуль памяти TakeMS DDR3 1066 DIMM 2Gb
DDR3 1066 (PC 8500) DIMM 240-контактный, 1x2 Гб, 1.5 В, CL 7
Модуль памяти TakeMS DDR3 1333 DIMM 1Gb
DDR3 1333 DIMM 240-контактный, 1x1 Гб, 1.5 В, CL 8
Модуль памяти TakeMS DDR3 1333 DIMM 2Gb
DDR3 1333 DIMM 240-контактный, 1x2 Гб, 1.5 В, CL 8
Модуль памяти TakeMS DDR3 1066 DIMM 3x1Gb
DDR3 1066 (PC 8500) DIMM 240-контактный, 3x1 Гб, 1.5 В, CL 7
Модуль памяти TakeMS DDR3 1333 DIMM 3x1Gb
DDR3 1333 DIMM 240-контактный, 3x1 Гб, 1.5 В, CL 8
Модуль памяти TakeMS DDR3 1066 DIMM 3x2Gb
DDR3 1066 (PC 8500) DIMM 240-контактный, 3x2 Гб, 1.5 В, CL 7
Модуль памяти TakeMS DDR3 1333 DIMM 3x2Gb
DDR3 1333 DIMM 240-контактный, 3x2 Гб, 1.5 В, CL 8
Модуль памяти TakeMS DDR3 1333 DIMM 4Gb
DDR3 1333 DIMM 240-контактный, 1x4 Гб, 1.5 В, CL 8
Модуль памяти TakeMS DDR 400 DIMM 512Mb CL2.5
DDR 400 (PC 3200) DIMM 184-контактный, 1x512 Мб, CL 2.5
Модуль памяти TakeMS DDR 333 DIMM 512Mb CL2.5
DDR 333 (PC 2700) DIMM 184-контактный, 1x512 Мб, CL 2.5
Модуль памяти TakeMS DDR 266 Registered ECC DIMM 512Mb CL2
DDR 266 (PC 2100) DIMM 184-контактный, 1x512 Мб, буферизованная, ECC, CL 2
Модуль памяти TakeMS DDR 266 Registered ECC DIMM 1Gb CL2
DDR 266 (PC 2100) DIMM 184-контактный, 1x1 Гб, буферизованная, ECC, CL 2
Модуль памяти TakeMS DDR 333 DIMM 128Mb CL2.5
DDR 333 (PC 2700) DIMM 184-контактный, 1x128 Мб, CL 2.5
Модуль памяти TakeMS DDR 333 DIMM 1Gb CL2.5
DDR 333 (PC 2700) DIMM 184-контактный, 1x1 Гб, CL 2.5
Модуль памяти TakeMS DDR 333 Registered ECC DIMM 1Gb CL2.5
DDR 333 (PC 2700) DIMM 184-контактный, 1x1 Гб, буферизованная, ECC, CL 2.5
Модуль памяти TakeMS DDR 333 SO-DIMM 256Mb
DDR 333 (PC 2700) SODIMM 200-контактный, 1x256 Мб
Модуль памяти TakeMS DDR 400 DIMM 1Gb
DDR 400 (PC 3200) DIMM 184-контактный, 1x1 Гб, 2.6 В, CL 3
Модуль памяти TakeMS DDR2 533 DIMM 512Mb CL4
DDR2 533 (PC2 4200) DIMM, 1x512 Мб, 1.8 В, CL 4
Модуль памяти TakeMS DDR2 800 Registered ECC DIMM 512Mb
DDR2 800 (PC2 6400) DIMM 240-контактный, 1x512 Мб, буферизованная, ECC, 1.8 В
Модуль памяти TakeMS DDR2 800 Registered ECC DIMM 1Gb
DDR2 800 (PC2 6400) DIMM 240-контактный, 1x1 Гб, буферизованная, ECC, 1.8 В
Модуль памяти TakeMS DDR2 667 Registered ECC DIMM 1Gb
DDR2 667 (PC2 5300) DIMM 240-контактный, 1x1 Гб, буферизованная, ECC, 1.8 В
Модуль памяти TakeMS DDR2 533 Registered ECC DIMM 2Gb
DDR2 533 (PC2 4200) DIMM 240-контактный, 1x2 Гб, буферизованная, ECC, 1.8 В, CL 4
Модуль памяти TakeMS DDR2 533 SO-DIMM 256Mb
DDR2 533 (PC2 4200) SODIMM 200-контактный, 1x256 Мб, 1.8 В
Модуль памяти TakeMS DDR 400 SO-DIMM 256Mb
DDR 400 (PC 3200) SODIMM, 1x256 Мб
Модуль памяти TakeMS DDR 333 Registered ECC DIMM 512Mb CL2.5
DDR 333 (PC 2700) DIMM 184-контактный, 1x512 Мб, буферизованная, ECC, CL 2.5
Модуль памяти TakeMS DDR 266 DIMM 512Mb CL2
DDR 266 (PC 2100) DIMM 184-контактный, 1x512 Мб, CL 2
Модуль памяти TakeMS DDR 266 DIMM 128Mb CL2
DDR 266 (PC 2100) DIMM 184-контактный, 1x128 Мб, CL 2
Модуль памяти TakeMS DDR 266 DIMM 256Mb CL2.5
DDR 266 (PC 2100) DIMM 184-контактный, 1x256 Мб, CL 2.5
Модуль памяти TakeMS DDR 333 DIMM 256Mb CL2.5
DDR 333 (PC 2700) DIMM 184-контактный, 1x256 Мб, CL 2.5
Модуль памяти TakeMS DDR 400 DIMM 256Mb CL3
DDR 400 (PC 3200) DIMM 184-контактный, 1x256 Мб, CL 3
Модуль памяти TakeMS DDR2 533 DIMM 1Gb CL4
DDR2 533 (PC2 4200) DIMM 240-контактный, 1x1 Гб, CL 4
Модуль памяти TakeMS DDR 400 DIMM 512Mb CL3
DDR 400 (PC 3200) DIMM 184-контактный, 1x512 Мб, CL 3
Модуль памяти TakeMS DDR2 667 DIMM 256Mb
DDR2 667 (PC2 5300) DIMM 240-контактный, 1x256 Мб, 1.8 В
Модуль памяти TakeMS DDR3 1066 SO-DIMM 2Gb
DDR3 1066 (PC 8500) SODIMM 204-контактный, 1x2 Гб, 1.5 В, CL 7
Модуль памяти TakeMS DDR3 1066 SO-DIMM 1Gb
DDR3 1066 (PC 8500) SODIMM 204-контактный, 1x1 Гб, 1.5 В, CL 7
Модуль памяти TakeMS DDR3 1333 SO-DIMM 1Gb
DDR3 1333 SODIMM 204-контактный, 1x1 Гб, 1.5 В, CL 8
Модуль памяти TakeMS DDR3 1333 SO-DIMM 2Gb
DDR3 1333 SODIMM 204-контактный, 1x2 Гб, 1.5 В
Модуль памяти TakeMS DDR3 1333 SO-DIMM 4Gb
DDR3 1333 SODIMM 204-контактный, 1x4 Гб, 1.5 В, CL 8
Модуль памяти TakeMS DDR 400 Registered ECC DIMM 2Gb
DDR 400 (PC 3200) DIMM 184-контактный, 1x2 Гб, буферизованная, ECC
Модуль памяти TakeMS DDR 400 Registered ECC DIMM 1Gb
DDR 400 (PC 3200) DIMM 184-контактный, 1x1 Гб, буферизованная, ECC
Модуль памяти TakeMS DDR 400 Registered ECC DIMM 512Mb
DDR 400 (PC 3200) DIMM 184-контактный, 1x512 Мб, буферизованная, ECC
Модуль памяти TakeMS DDR2 667 Registered ECC DIMM 512Mb
DDR2 667 (PC2 5300) DIMM 240-контактный, 1x512 Мб, буферизованная, ECC, 1.8 В