Регистрация
Например: Разбился экран на iphone
Например: Ноутбук asus не включается
Модули памяти
Модуль памяти OCZ OCZ3G18002GK
DDR3 1800 (PC 14400) DIMM 240-контактный, 2x1 Гб, 1.9 В, CL 9
Модуль памяти OCZ OCZ2N800SR1G
DDR2 800 (PC2 6400) DIMM 240-контактный, 1x1 Гб, 2.1 В, CL 4
Модуль памяти OCZ OCZ2M8004GK
DDR2 800 (PC2 6400) SODIMM 200-контактный, 2x2 Гб, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти OCZ OCZ3P1600EB4GK
DDR3 1600 (PC 12800) DIMM 240-контактный, 2x2 Гб, 1.9 В, CL 7
Модуль памяти OCZ OCZ2F8004GK
DDR2 800 (PC2 6400) DIMM 240-контактный, 2x2 Гб, 2.1 В, CL 5
Модуль памяти OCZ OCZ2P8008GK
DDR2 800 (PC2 6400) DIMM 240-контактный, 2x4 Гб, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти OCZ OCZ2M8002GK
DDR2 800 (PC2 6400) SODIMM 200-контактный, 2x1 Гб, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти OCZ OCZ3V10661G
DDR3 1066 (PC 8500) DIMM 240-контактный, 1x1 Гб, 1.5 В, CL 7
Модуль памяти OCZ OCZ3G16002GK
DDR3 1600 (PC 12800) DIMM 240-контактный, 2x1 Гб, 1.9 В, CL 8
Модуль памяти OCZ OCZ2FXE11502GK
DDR2 1150 (PC2 9200) DIMM 240-контактный, 2x1 Гб, 2.1 В, CL 5
Модуль памяти OCZ OCZ3RPR2000LV6GK
DDR3 2000 DIMM 240-контактный, 3x2 Гб, 1.65 В, CL 9
Модуль памяти OCZ OCZ2G8002GK
DDR2 800 (PC2 6400) DIMM 240-контактный, 2x1 Гб, 2.1 В, CL 5
Модуль памяти OCZ OCZ3FXT20002GK
DDR3 2000 (PC 16000) DIMM 240-контактный, 2x1 Гб, 1.9 В, CL 8
Модуль памяти OCZ OCZ3RPR1333C94GK
DDR3 1333 (PC 10666) DIMM 240-контактный, 2x2 Гб, 1.7 В, CL 9
Модуль памяти OCZ OCZ2P1066AM4GK
DDR2 1066 DIMM 240-контактный, 2x2 Гб, 2.2 В, CL 5
Модуль памяти OCZ OCZ2RPR8004GK
DDR2 800 (PC2 6400) DIMM 240-контактный, 2x2 Гб, 2.1 В, CL 5
Модуль памяти OCZ OCZ3FXE1600C7LV6GK
DDR3 1600 DIMM 240-контактный, 3x2 Гб, 1.65 В, CL 7
Модуль памяти OCZ OCZ2G80016GQ
DDR2 800 (PC2 6400) DIMM 240-контактный, 4x4 Гб, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти OCZ OCZ2V8002GK
DDR2 800 (PC2 6400) DIMM 240-контактный, 2x1 Гб, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти ProMOS Technologies DDR2 533 SO-DIMM 256Mb
DDR2 533 SODIMM 200-контактный, 1x256 Мб, 1.8 В, CL 4
Модуль памяти ProMOS Technologies DDR2 533 SO-DIMM 1Gb
DDR2 533 SODIMM 200-контактный, 1x1 Гб, 1.8 В, CL 4
Модуль памяти ProMOS Technologies DDR2 667 SO-DIMM 256Mb
DDR2 667 SODIMM 200-контактный, 1x256 Мб, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти ProMOS Technologies DDR2 667 SO-DIMM 1Gb
DDR2 667 SODIMM 200-контактный, 1x1 Гб, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти ProMOS Technologies DDR2 667 SO-DIMM 2Gb
DDR2 667 SODIMM 200-контактный, 1x2 Гб, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти ProMOS Technologies DDR2 800 CL5 SO-DIMM 1Gb
DDR2 800 SODIMM 200-контактный, 1x1 Гб, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти ProMOS Technologies DDR2 800 CL5 SO-DIMM 256Mb
DDR2 800 SODIMM 200-контактный, 1x256 Мб, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти ProMOS Technologies DDR2 800 CL5 SO-DIMM 512Mb
DDR2 800 SODIMM 200-контактный, 1x512 Мб, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти ProMOS Technologies DDR2 800 CL6 SO-DIMM 1Gb
DDR2 800 SODIMM 200-контактный, 1x1 Гб, 1.8 В, CL 6
Модуль памяти ProMOS Technologies DDR2 800 CL6 SO-DIMM 256Mb
DDR2 800 SODIMM 200-контактный, 1x256 Мб, 1.8 В, CL 6
Модуль памяти ProMOS Technologies DDR2 800 CL6 SO-DIMM 2Gb
DDR2 800 SODIMM 200-контактный, 1x2 Гб, 1.8 В, CL 6
Модуль памяти ProMOS Technologies DDR2 800 CL6 SO-DIMM 512Mb
DDR2 800 SODIMM 200-контактный, 1x512 Мб, 1.8 В, CL 6
Модуль памяти ProMOS Technologies DDR2 533 SO-DIMM 512Mb
DDR2 533 (PC2 4200) SODIMM 200-контактный, 1x512 Мб, 1.8 В, CL 4
Модуль памяти ProMOS Technologies DDR2 667 SO-DIMM 512Mb
DDR2 667 SODIMM 200-контактный, 1x512 Мб, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти Qimonda IMSH1GU03A1F1C-13H
DDR3 1333 (PC 10600) DIMM 240-контактный, 1x1 Гб, 1.5 В, CL 9
Модуль памяти Qimonda HYS72T1G842EFA-3S-C2
DDR2 667 FB-DIMM 240-контактный, 1x8 Гб, буферизованная, ECC, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти Qimonda HYS72T1G542ELA-3S-C2
DDR2 667 FB-DIMM 240-контактный, 1x8 Гб, буферизованная, ECC, 1.55 В, CL 5
Модуль памяти Qimonda HYS72T1G542EFA-25F-C2
DDR2 800 FB-DIMM 240-контактный, 1x8 Гб, буферизованная, ECC, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти Qimonda HYS72T1G842EFA-25F-C2
DDR2 800 FB-DIMM 240-контактный, 1x8 Гб, буферизованная, ECC, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти Qimonda HYS72T1G542ELA-25F-C2
DDR2 800 FB-DIMM 240-контактный, 1x8 Гб, буферизованная, ECC, 1.55 В, CL 5
Модуль памяти Qimonda HYS72T1G542EFA-3S-C2
DDR2 667 FB-DIMM 240-контактный, 1x8 Гб, буферизованная, ECC, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти Qimonda HYS72T1G542EFD-3S-C2
DDR2 667 FB-DIMM 240-контактный, 1x8 Гб, буферизованная, ECC, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти Qimonda HYS72T256220EP-3S-B2
DDR2 667 (PC2 5300) DIMM 240-контактный, 1x2 Гб, буферизованная, ECC, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти Qimonda IMSH2GU13A1F1C-13H
DDR3 1333 DIMM 240-контактный, 1x2 Гб, 1.5 В, CL 9
Модуль памяти Silicon Power SP001GBLDU400O02
DDR 400 (PC 3200) DIMM 184-контактный, 1x1 Гб, 2.5 В, CL 3
Модуль памяти Silicon Power SP001GBLTU133S02
DDR3 1333 DIMM 240-контактный, 1x1 Гб, 1.5 В, CL 9
Модуль памяти Silicon Power SP002GBLTU133S02
DDR3 1333 DIMM 240-контактный, 1x2 Гб, 1.5 В, CL 9
Модуль памяти Silicon Power SP512MBSRU667O02
DDR2 667 (PC2 5300) SODIMM 200-контактный, 1x512 Мб, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти Silicon Power SP001GBSRU800S02
DDR2 800 SODIMM 200-контактный, 1x1 Гб, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти Silicon Power SP002GBLRU800S02
DDR2 800 (PC2 6400) DIMM 240-контактный, 1x2 Гб, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти Silicon Power SP001GBLRU800S02
DDR2 800 DIMM 240-контактный, 1x1 Гб, 1.8 В, CL 5

 1 2 3 4 5 6 7 8  10  12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 ...