Регистрация
Например: Разбился экран на iphone
Например: Ноутбук asus не включается
Super Talent TwinMOS HP Patriot EUDAR Corsair Team Group Ceon ProMOS Technologies OCZ ADATA AENEON Cisco Acer Fujitsu-Siemens DELL G.SKILL Sony TakeMS Fujitsu Simple Technology V-Data Samsung Qimonda Lenovo Nanya Digma Sun Microsystems Apacer Elixir Spectek Mushkin PNY Toshiba Kingmax Transcend PQI Crucial A-Data Apple NCP Chaintech Qumo Hynix Geil Infineon Micron Princeton Kingston

И мы будем отсылать все ответы пользователей на ваш вопрос напрямую на ваш электронный адрес. Ни один вопрос не останется без внимания посетителей сайта.



Модули памяти
Модуль памяти Lenovo 49Y3683
DDR2 667 FB-DIMM 240-контактный, 2x2 Гб, буферизованная, ECC, CL 5
Модуль памяти Lenovo 44T1483
DDR3 1333 (PC 10600) DIMM 240-контактный, 1x4 Гб, буферизованная, низкопрофильная, ECC
Модуль памяти Lenovo 49Y3682
DDR2 667 FB-DIMM 240-контактный, 2x1 Гб, буферизованная, ECC, CL 5
Модуль памяти Lenovo 46C7418
DDR2 667 FB-DIMM 240-контактный, 2x1 Гб, буферизованная, ECC, CL 5
Модуль памяти Lenovo 39M5797
DDR2 667 (PC2 5300) FB-DIMM, 2x4 Гб, буферизованная, ECC, CL 5
Модуль памяти Lenovo 44T1482
DDR3 1333 (PC 10600) DIMM 240-контактный, 1x2 Гб, буферизованная, низкопрофильная, ECC
Модуль памяти Lenovo 43W8378
DDR2 667 (PC2 5300) DIMM 240-контактный, 2x1 Гб, ECC, CL 5
Модуль памяти Lenovo 41Y2768
DDR2 667 (PC2 5300) DIMM 240-контактный, 2x4 Гб, буферизованная, ECC
Модуль памяти Lenovo 40Y7735
DDR2 667 (PC2 5300) SODIMM 200-контактный, 1x2 Гб, CL 5
Модуль памяти Lenovo 49Y3686
DDR2 800 DIMM 240-контактный, 2x1 Гб, ECC, CL 6
Модуль памяти Lenovo 39M5791
DDR2 667 (PC2 5300) FB-DIMM, 2x2 Гб, буферизованная, ECC, CL 5
Модуль памяти Lenovo 43R1987
DDR3 1066 SODIMM, 1x1 Гб, 1.5 В
Модуль памяти OCZ OCZ3F13332GK
DDR3 1333 (PC 10666) DIMM 240-контактный, 2x1 Гб, 1.7 В, CL 9
Модуль памяти OCZ OCZ3P1800C7LV6GK
DDR3 1800 DIMM 240-контактный, 3x2 Гб, 1.65 В, CL 7
Модуль памяти OCZ OCZ3X1333LV6GK
DDR3 1333 (PC 10666) DIMM 240-контактный, 3x2 Гб, 1.5 В, CL 7
Модуль памяти OCZ OCZ3X1333LV3GK
DDR3 1333 (PC 10666) DIMM 240-контактный, 3x1 Гб, 1.5 В, CL 7
Модуль памяти OCZ OCZ3G2000LV6GK
DDR3 2000 DIMM 240-контактный, 3x2 Гб, 1.65 В, CL 10
Модуль памяти OCZ OCZ3SOE13334GK
DDR3 1333 (PC 10666) DIMM 240-контактный, 2x2 Гб, 1.7 В, CL 9
Модуль памяти OCZ OCZ3P18001G
DDR3 1800 (PC 14400) DIMM 240-контактный, 1x1 Гб, 1.95 В, CL 8
Модуль памяти OCZ OCZ3P20002GK
DDR3 2000 (PC 16000) DIMM 240-контактный, 2x1 Гб, 1.8 В, CL 9
Модуль памяти OCZ OCZ3P16002GK
DDR3 1600 (PC 12800) DIMM 240-контактный, 2x1 Гб, 1.9 В, CL 7
Модуль памяти OCZ OCZ3MA10662G
DDR3 1066 SODIMM 204-контактный, 1x2 Гб, 1.5 В, CL 7
Модуль памяти OCZ OCZ3X16002GK
DDR3 1600 (PC 12800) DIMM 240-контактный, 2x1 Гб, 1.9 В, CL 7
Модуль памяти OCZ OCZ2RPR12002GK
DDR2 1200 (PC2 9600) DIMM 240-контактный, 2x1 Гб, 2.1 В, CL 5
Модуль памяти OCZ OCZ2SOE8004GK
DDR2 800 (PC2 6400) DIMM 240-контактный, 2x2 Гб, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти OCZ OCZ3V1333LV3GK
DDR3 1333 (PC 10666) DIMM 240-контактный, 3x1 Гб, 1.65 В, CL 9
Модуль памяти OCZ OCZ3P1333LVA6GK
DDR3 1333 DIMM 240-контактный, 3x2 Гб, 1.65 В, CL 7
Модуль памяти OCZ OCZ2VU80016GQ
DDR2 800 (PC2 6400) DIMM 240-контактный, 4x4 Гб, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти OCZ OCZ3RPR1333C92GK
DDR3 1333 (PC 10666) DIMM 240-контактный, 2x1 Гб, 1.7 В, CL 9
Модуль памяти Samsung DDR2 800 SO-DIMM 2Gb
DDR2 800 (PC2 6400) SODIMM 200-контактный, 1x2 Гб, 1.8 В
Модуль памяти Samsung DDR2 667 SO-DIMM 1Gb
DDR2 667 (PC2 5300) SODIMM 200-контактный, 1x1 Гб, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти Samsung DDR2 667 SO-DIMM 2Gb
DDR2 667 (PC2 5300) SODIMM 200-контактный, 1x2 Гб, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти Samsung DDR2 800 SO-DIMM 1Gb
DDR2 800 (PC2 6400) SODIMM 200-контактный, 1x1 Гб, 1.8 В
Модуль памяти Samsung DDR 400 DIMM 1Gb
DDR 400 (PC 3200) DIMM, 1x1 Гб
Модуль памяти Samsung DDR2 800 DIMM 2Gb
DDR2 800 (PC2 6400) DIMM 240-контактный, 1x2 Гб, 1.8 В
Модуль памяти Samsung DDR2 800 DIMM 1Gb
DDR2 800 (PC2 6400) DIMM 240-контактный, 1x1 Гб, 1.8 В
Модуль памяти Samsung DDR 400 DIMM 512Mb
DDR 400 (PC 3200) DIMM, 1x512 Мб
Модуль памяти Samsung DDR3 1333 DIMM 2Gb
DDR3 1333 (PC 10600) DIMM 240-контактный, 1x2 Гб, 1.5 В, CL 9
Модуль памяти Samsung DDR3 1333 DIMM 1Gb
DDR3 1333 (PC 10600) DIMM 240-контактный, 1x1 Гб, 1.5 В, CL 9
Модуль памяти Samsung DDR3 1333 Registered ECC DIMM 4Gb
DDR3 1333 DIMM 240-контактный, 1x4 Гб, буферизованная, ECC, 1.5 В, CL 9
Модуль памяти Samsung DDR2 800 FB-DIMM 4Gb
DDR2 800 FB-DIMM 240-контактный, 1x4 Гб, буферизованная, ECC, 1.8 В
Модуль памяти Samsung DDR3 1066 SO-DIMM 1Gb
DDR3 1066 SODIMM 204-контактный, 1x1 Гб, 1.5 В, CL 7
Модуль памяти Samsung DDR2 667 FB-DIMM 4Gb
DDR2 667 (PC2 5300) FB-DIMM 240-контактный, 1x4 Гб, буферизованная, ECC, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти Samsung DDR2 667 FB-DIMM 2Gb
DDR2 667 (PC2 5300) FB-DIMM 240-контактный, 1x2 Гб, буферизованная, ECC, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти Samsung DDR3 1333 Registered ECC DIMM 2Gb
DDR3 1333 DIMM 240-контактный, 1x2 Гб, буферизованная, ECC, 1.5 В, CL 9
Модуль памяти Samsung DDR 333 Registered ECC DIMM 2Gb
DDR 333 (PC 2700) DIMM 184-контактный, 1x2 Гб, буферизованная, ECC
Модуль памяти Samsung DDR3 1066 Registered ECC DIMM 4Gb
DDR3 1066 DIMM 240-контактный, 1x4 Гб, буферизованная, ECC, 1.5 В, CL 7
Модуль памяти Samsung DDR2 667 SO-DIMM 512Mb
DDR2 667 (PC2 5300) SODIMM 200-контактный, 1x512 Мб, 1.8 В
Модуль памяти Samsung DDR3 1066 DIMM 1Gb
DDR3 1066 (PC 8500) DIMM 240-контактный, 1x1 Гб, 1.5 В, CL 7
Модуль памяти Samsung DDR 266 Registered ECC DIMM 2Gb
DDR 266 (PC 2100) DIMM 184-контактный, 1x2 Гб, буферизованная, ECC, 2.5 В

...  7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17  19  21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 ...
© 2008–2024 «Ремонт ошибки.ру» - Турецкий сайт в товарами: Nargile Köz Yakma Makinesi Rezistansı
Администрация сайта ([email protected]) может быть не согласна с мнениями пользователей, высказанных на сайте, и не несет ответственность за информацию и советы, размещенные пользователями. При пользовании данным сайтом вы соглашаетесь с правилами пользования. Использование материалов с сайта без согласия администрации запрещено. Rambler's Top100