Регистрация
Например: Разбился экран на iphone
Например: Ноутбук asus не включается
Super Talent TwinMOS HP Patriot EUDAR Corsair Team Group Ceon ProMOS Technologies OCZ ADATA AENEON Cisco Acer Fujitsu-Siemens DELL G.SKILL Sony TakeMS Fujitsu Simple Technology V-Data Samsung Qimonda Lenovo Nanya Digma Sun Microsystems Apacer Elixir Spectek Mushkin PNY Toshiba Kingmax Transcend PQI Crucial A-Data Apple NCP Chaintech Qumo Hynix Geil Infineon Micron Princeton Kingston

И мы будем отсылать все ответы пользователей на ваш вопрос напрямую на ваш электронный адрес. Ни один вопрос не останется без внимания посетителей сайта.



Модули памяти
Модуль памяти Transcend TS128MTWP2GX
SDRAM 66 SODIMM 144-контактный, 1x128 Мб, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS32MTWP2GX
SDRAM 66 SODIMM 144-контактный, 1x32 Мб, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS64MTWEF50
SDRAM 100 SODIMM 144-контактный, 1x64 Мб, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS512MNEMM133
SDRAM 133 SODIMM 144-контактный, 1x512 Мб, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS256MNEMM133
SDRAM 133 SODIMM 144-контактный, 1x256 Мб, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS128MSY370
SDRAM 133 SODIMM 144-контактный, 1x128 Мб, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS128MSY808
SDRAM 66 SODIMM 144-контактный, 1x128 Мб, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS512MSYV505
DDR 333 (PC 2700) SODIMM 200-контактный, 1x512 Мб, буферизованная, ECC, 2.5 В, CL 2.5
Модуль памяти Transcend TS128MSGVW230
SDRAM 133 DIMM 168-контактный, 1x128 Мб, буферизованная, ECC, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS256MSGVW230
SDRAM 133 DIMM 168-контактный, 1x256 Мб, буферизованная, ECC, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS512MSGVW230
SDRAM 133 DIMM 168-контактный, 1x512 Мб, буферизованная, ECC, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS512MCQ6000
DDR 266 (PC 2100) DIMM 184-контактный, 1x512 Мб, 2.5 В, CL 2.5
Модуль памяти Transcend TS32MCQ8875
SDRAM 100 DIMM 168-контактный, 1x32 Мб, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS128MSYGR114
SDRAM 133 SODIMM 144-контактный, 1x128 Мб, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS64MSY403
SDRAM 100 SODIMM 144-контактный, 1x64 Мб, 3.3 В, CL 2
Модуль памяти Transcend TS128MSY200
SDRAM 66 DIMM 168-контактный, 1x128 Мб, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS256MSYV505
DDR 333 (PC 2700) SODIMM 200-контактный, 1x256 Мб, 2.5 В, CL 2.5
Модуль памяти Transcend TS32MSY705
SDRAM 66 SODIMM 144-контактный, 1x32 Мб, 3.3 В
Модуль памяти Transcend TS256MSYGR114
SDRAM 133 SODIMM 144-контактный, 1x256 Мб, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS32MSY370
SDRAM 100 SODIMM 144-контактный, 1x32 Мб, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS256MFJC150
SDRAM 133 DIMM 168-контактный, 1x256 Мб, ECC, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS256MTB3532
SDRAM 133 DIMM 168-контактный, 1x256 Мб, буферизованная, ECC, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS64MT3410
SDRAM 100 SODIMM 144-контактный, 1x64 Мб, CL 2
Модуль памяти Transcend TS128MTB3112
SDRAM 133 DIMM 168-контактный, 1x128 Мб, ECC, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS64MCF71
SDRAM 66 SODIMM 144-контактный, 1x64 Мб, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS32MT7000
SDRAM 66 SODIMM 144-контактный, 1x32 Мб, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS256MT3300
SDRAM 133 DIMM 168-контактный, 1x256 Мб, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS512MSICEH
SDRAM 133 SODIMM 144-контактный, 1x512 Мб, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS512MFJC150
SDRAM 133 DIMM 168-контактный, 1x512 Мб, ECC, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS512MSI630
DDR2 400 (PC2 3200) DIMM 240-контактный, 1x512 Мб, буферизованная, ECC, 1.8 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS256MSIB100
SDRAM 100 DIMM 168-контактный, 1x256 Мб, буферизованная, ECC, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS1GDL0855
SDRAM 133 DIMM 168-контактный, 1x1 Гб, буферизованная, ECC, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS256MDL1353
DDR 266 (PC 2100) SODIMM 200-контактный, 1x256 Мб, 2.5 В, CL 2.5
Модуль памяти Transcend TS256MDLC610
SDRAM 133 SODIMM 144-контактный, 1x256 Мб, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS256MDE300
SDRAM 100 DIMM 168-контактный, 2x128 Мб, ECC, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS32MDL0686
SDRAM 100 DIMM 168-контактный, 1x32 Мб, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS256MDL4072
SDRAM 100 SODIMM 144-контактный, 1x256 Мб, 3.3 В, CL 2
Модуль памяти Geil GE36GB1066C8TC
DDR3 1066 DIMM 240-контактный, 3x2 Гб, 1.5 В, CL 8
Модуль памяти Kingston KVR1333D3S4R9SK2/4GI
DDR3 1333 (PC 10600) DIMM 240-контактный, 2x2 Гб, буферизованная, ECC, 1.5 В, CL 9
Модуль памяти Kingston KTA-MB800K2/4G
DDR2 800 SODIMM 200-контактный, 2x2 Гб, 1.8 В, CL 6
Модуль памяти Kingston KVR1333D3D4R9S/4GI
DDR3 1333 (PC 10600) DIMM 240-контактный, 1x4 Гб, буферизованная, ECC, 1.5 В, CL 9
Модуль памяти Kingston KFJ-FPC218/1G
DDR2 667 (PC2 5300) DIMM 240-контактный, 1x1 Гб
Модуль памяти Kingston KVR800D2S4P6/2G
DDR2 800 (PC2 6400) DIMM 240-контактный, 1x2 Гб, буферизованная, ECC, 1.8 В, CL 6
Модуль памяти Kingston KVR400X72C3A/256
DDR 400 (PC 3200) DIMM 184-контактный, 1x256 Мб, ECC, 2.6 В, CL 3
Модуль памяти Kingston KSY-V505/512
DDR 333 (PC 2700) SODIMM 200-контактный, 1x512 Мб
Модуль памяти Kingston KTH-ZD8000C6/2G
DDR2 800 SODIMM 200-контактный, 1x2 Гб, CL 6
Модуль памяти Kingston KVR133X64SC3L/512
SDRAM 133 SODIMM 144-контактный, 1x512 Мб, низкопрофильная, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Kingston KVR266X72C2/512
DDR 266 (PC 2100) DIMM 184-контактный, 1x512 Мб, ECC, 2.5 В, CL 2
Модуль памяти Kingston M25664F50
DDR2 667 (PC2 5300) SODIMM 200-контактный, 1x2 Гб
Модуль памяти Kingston KTT533D2/1G
DDR2 533 (PC2 4200) SODIMM, 1x1 Гб

...  24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34  36  38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 ...
© 2008–2024 «Ремонт ошибки.ру» - Турецкий сайт в товарами: Mental Art Sanat Temalı Laptop Notebook Tablet Sticker Seti (13 Adet)
Администрация сайта ([email protected]) может быть не согласна с мнениями пользователей, высказанных на сайте, и не несет ответственность за информацию и советы, размещенные пользователями. При пользовании данным сайтом вы соглашаетесь с правилами пользования. Использование материалов с сайта без согласия администрации запрещено. Rambler's Top100