Регистрация
Например: Разбился экран на iphone
Например: Ноутбук asus не включается
Super Talent TwinMOS HP Patriot EUDAR Corsair Team Group Ceon ProMOS Technologies OCZ ADATA AENEON Cisco Acer Fujitsu-Siemens DELL G.SKILL Sony TakeMS Fujitsu Simple Technology V-Data Samsung Qimonda Lenovo Nanya Digma Sun Microsystems Apacer Elixir Spectek Mushkin PNY Toshiba Kingmax Transcend PQI Crucial A-Data Apple NCP Chaintech Qumo Hynix Geil Infineon Micron Princeton Kingston

И мы будем отсылать все ответы пользователей на ваш вопрос напрямую на ваш электронный адрес. Ни один вопрос не останется без внимания посетителей сайта.



Модули памяти
Модуль памяти Transcend TS64MMD64V3F
DDR 333 (PC 2700) MicroDIMM 172-контактный, 1x512 Мб, 2.5 В, CL 2.5
Модуль памяти Transcend TS64MLD64V5F
DDR 500 (PC 4000) DIMM 184-контактный, 1x512 Мб, 2.6 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS16MSS64V8C2
SDRAM 100 SODIMM 144-контактный, 1x128 Мб, 3.3 В, CL 2
Модуль памяти Transcend TS128MSH555B
SDRAM 133 SODIMM 144-контактный, 1x128 Мб, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS128MSHAX10
SDRAM 100 SODIMM 144-контактный, 1x128 Мб, 3.3 В, CL 2
Модуль памяти Transcend TS64MSHAX10
SDRAM 100 SODIMM 144-контактный, 1x64 Мб, 3.3 В, CL 2
Модуль памяти Transcend TS512MSHC1W
SDRAM 133 SODIMM 144-контактный, 1x512 Мб, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS1GIB8857
DDR 333 (PC 2700) DIMM 184-контактный, 1x1 Гб, 2.5 В, CL 2.5
Модуль памяти Transcend TS512MIB3146
SDRAM 133 DIMM 168-контактный, 1x512 Мб, буферизованная, ECC, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS512MIB3085
SDRAM 133 DIMM 168-контактный, 1x512 Мб, ECC, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS128MIB4150
SDRAM 133 DIMM 168-контактный, 1x128 Мб, буферизованная, ECC, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS64MIB0254
SDRAM 100 SODIMM 144-контактный, 1x64 Мб, 3.3 В, CL 2
Модуль памяти Transcend TS512MIB7263
SDRAM 100 DIMM 168-контактный, 1x512 Мб, буферизованная, ECC, 3.3 В, CL 2
Модуль памяти Transcend TS1GCQ3055
DDR2 400 (PC2 3200) DIMM 240-контактный, 2x512 Мб, буферизованная, ECC, 1.8 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS512MHP4725
DDR2 400 (PC2 3200) SODIMM 200-контактный, 1x512 Мб, 1.8 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS1GHP832A
DDR2 533 (PC2 4200) SODIMM 200-контактный, 1x1 Гб, 1.8 В, CL 4
Модуль памяти Transcend TS512MDL6000
DDR2 400 (PC2 3200) SODIMM 200-контактный, 1x512 Мб, 1.8 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS256MHP830A
DDR2 533 (PC2 4200) SODIMM 200-контактный, 1x256 Мб, 1.8 В, CL 4
Модуль памяти Transcend TS512MDL3743
DDR2 533 (PC2 4200) SODIMM 200-контактный, 1x512 Мб, 1.8 В, CL 4
Модуль памяти Transcend TS1GNE215
DDR 400 (PC 3200) DIMM 184-контактный, 1x1 Гб, ECC, 2.6 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS256MAP9762
DDR 400 (PC 3200) DIMM 184-контактный, 1x256 Мб, 2.6 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS256MNEM007
DDR 400 (PC 3200) DIMM 184-контактный, 1x256 Мб, ECC, 2.6 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS128MQR72V5K
DDR2 533 (PC2 4200) DIMM 240-контактный, 1x1 Гб, буферизованная, ECC, 1.8 В, CL 4
Модуль памяти Kingston D12872B251
DDR 266 (PC 2100) DIMM 184-контактный, 1x1 Гб, буферизованная, ECC
Модуль памяти Kingston KTH8265/256
SDRAM 133 DIMM 168-контактный, 1x256 Мб, ECC
Модуль памяти Kingston KTH-OB4150/128
SDRAM 100 SODIMM 144-контактный, 1x128 Мб
Модуль памяти Kingston KTH6501/64
SDRAM 100 DIMM 168-контактный, 1x64 Мб
Модуль памяти Kingston KTH-VL133/256
SDRAM 133 DIMM, 1x256 Мб, 3.3 В
Модуль памяти Kingston KHX1800C9D3T1FK3/6GX
DDR3 1800 (PC 14400) DIMM 240-контактный, 3x2 Гб, 1.65 В, CL 9
Модуль памяти Kingston KVR667D2S8P5K2/2G
DDR2 667 (PC2 5300) DIMM 240-контактный, 2x1 Гб, буферизованная, ECC, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти Kingston KTH8348/1G
DDR 333 (PC 2700) DIMM 184-контактный, 1x1 Гб, буферизованная, ECC, 2.5 В
Модуль памяти Kingston KTH5300/512
DDR 266 (PC 2100) DIMM 184-контактный, 1x512 Мб, 2.5 В
Модуль памяти Kingston KSE1840/256
SDRAM 133 DIMM 168-контактный, 1x256 Мб
Модуль памяти Kingston KGW-GR600/256
DDR 266 (PC 2100) SODIMM 200-контактный, 1x256 Мб
Модуль памяти Kingston KFJ-CEL266/1G
DDR 266 (PC 2100) DIMM, 1x1 Гб
Модуль памяти Kingston M6464C250
DDR 333 (PC 2700) SODIMM, 1x512 Мб
Модуль памяти Kingston M12864C250
DDR 333 (PC 2700) SODIMM, 1x1 Гб, CL 2.5
Модуль памяти Kingston M1664A30
SDRAM 133 SODIMM 144-контактный, 1x128 Мб
Модуль памяти Kingston M3264A30
SDRAM 133 SODIMM 144-контактный, 1x256 Мб
Модуль памяти Kingston KTD-OPGX1/256
SDRAM DIMM 168-контактный, 1x256 Мб, ECC
Модуль памяти Kingston KTD-OPGX1N/256
SDRAM 100 DIMM 168-контактный, 1x256 Мб, буферизованная, 3.3 В
Модуль памяти Kingston KSG-OCT/512
SDRAM 100 SODIMM 144-контактный, 2x256 Мб, ECC
Модуль памяти Kingston D6464C250
DDR 333 (PC 2700) DIMM, 1x512 Мб
Модуль памяти Kingston KTH-ZD7000/512
DDR 333 (PC 2700) SODIMM 200-контактный, 1x512 Мб
Модуль памяти Kingston KTM5037/512
DDR 266 (PC 2100) DIMM 184-контактный, 2x256 Мб, ECC, CL 2.5
Модуль памяти Kingston KTM-TP0028/512
DDR 266 (PC 2100) SODIMM 200-контактный, 1x512 Мб, CL 2.5
Модуль памяти Kingston KTM3071/256
SDRAM 133 DIMM 168-контактный, 1x256 Мб, 3.3 В
Модуль памяти Kingston KTM3211/512
DDR2 533 (PC2 4200) DIMM 240-контактный, 1x512 Мб, 1.8 В, CL 4
Модуль памяти Kingston KTM8854/1G
DDR 333 (PC 2700) DIMM 184-контактный, 1x1 Гб
Модуль памяти Kingston KTM-X305/1G
DDR 266 (PC 2100) DIMM 184-контактный, 1x1 Гб, буферизованная, ECC

...  33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43  45  47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 ...
© 2008–2024 «Ремонт ошибки.ру» - Турецкий сайт в товарами: Duş Tarağı Yumuşak Silikon Saç Yıkama&Saç Derisi Masaj Tarağı
Администрация сайта ([email protected]) может быть не согласна с мнениями пользователей, высказанных на сайте, и не несет ответственность за информацию и советы, размещенные пользователями. При пользовании данным сайтом вы соглашаетесь с правилами пользования. Использование материалов с сайта без согласия администрации запрещено. Rambler's Top100