Регистрация
Например: Разбился экран на iphone
Например: Ноутбук asus не включается
Super Talent TwinMOS HP Patriot EUDAR Corsair Team Group Ceon ProMOS Technologies OCZ ADATA AENEON Cisco Acer Fujitsu-Siemens DELL G.SKILL Sony TakeMS Fujitsu Simple Technology V-Data Samsung Qimonda Lenovo Nanya Digma Sun Microsystems Apacer Elixir Spectek Mushkin PNY Toshiba Kingmax Transcend PQI Crucial A-Data Apple NCP Chaintech Qumo Hynix Geil Infineon Micron Princeton Kingston

И мы будем отсылать все ответы пользователей на ваш вопрос напрямую на ваш электронный адрес. Ни один вопрос не останется без внимания посетителей сайта.



Модули памяти
Модуль памяти Kingston KVR800D2N5K2/2G
DDR2 800 (PC2 6400) DIMM 240-контактный, 2x1 Гб, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти Kingston KTA-XE667K2/8G
DDR2 667 (PC2 5300) FB-DIMM 240-контактный, 2x4 Гб, буферизованная, ECC, CL 5
Модуль памяти Kingston KTA-MP800K2/8G
DDR2 800 (PC2 6400) FB-DIMM 240-контактный, 2x4 Гб, буферизованная, ECC
Модуль памяти Kingston KTA-MP800K2/4G
DDR2 800 (PC2 6400) FB-DIMM 240-контактный, 2x2 Гб, буферизованная, ECC
Модуль памяти Kingston KTA-MP800K2/2G
DDR2 800 (PC2 6400) FB-DIMM 240-контактный, 2x1 Гб, буферизованная, ECC
Модуль памяти Kingston KHX6400D2LL/1G
DDR2 800 (PC2 6400) DIMM 240-контактный, 1x1 Гб, 2 В, CL 4
Модуль памяти Kingston KTA-MP667AK2/8G
DDR2 667 FB-DIMM 240-контактный, 2x4 Гб, буферизованная, ECC, CL 5
Модуль памяти Kingston KVR133X64C3/256
SDRAM 133 DIMM 168-контактный, 1x256 Мб, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Kingston KVR667D2S8F5/512
DDR2 667 (PC2 5300) FB-DIMM 240-контактный, 1x512 Мб, буферизованная, ECC, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти Kingston KVR533D2D8F4/1G
DDR2 533 (PC2 4200) FB-DIMM 240-контактный, 1x1 Гб, буферизованная, ECC, 1.8 В, CL 4
Модуль памяти Kingston KTA-MP667AK2/4G
DDR2 667 (PC2 5300) FB-DIMM, 2x2 Гб, буферизованная, ECC, CL 5
Модуль памяти Kingston KVR400D2S4R3/2G
DDR2 400 (PC2 3200) DIMM 240-контактный, 1x2 Гб, буферизованная, ECC, 1.8 В, CL 3
Модуль памяти Kingston KVR1066D3S4R7SK2/4G
DDR3 1066 DIMM 240-контактный, 2x2 Гб, буферизованная, ECC, 1.5 В, CL 7
Модуль памяти Kingston KVR1066D3E7S/1G
DDR3 1066 DIMM 240-контактный, 1x1 Гб, ECC, 1.5 В, CL 7
Модуль памяти Kingston KTA-G4333/512
DDR 333 (PC 2700) DIMM 184-контактный, 1x512 Мб
Модуль памяти Kingston KVR1333D3S8R9S/1G
DDR3 1333 DIMM 240-контактный, 1x1 Гб, буферизованная, ECC, CL 9
Модуль памяти Kingston KTA-IMAC100/512
SDRAM 100 DIMM 168-контактный, 1x512 Мб
Модуль памяти Kingston KTA-G5333/2G
DDR 333 (PC 2700) DIMM 184-контактный, 2x1 Гб
Модуль памяти Kingston KTA-PBG4266/1G
DDR 266 (PC 2100) SODIMM 200-контактный, 1x1 Гб
Модуль памяти Kingston KVR1066D3D8R7S/2G
DDR3 1066 DIMM 240-контактный, 1x2 Гб, буферизованная, ECC, 1.5 В, CL 7
Модуль памяти Kingston KTA-G4133/512
SDRAM 133 DIMM 168-контактный, 1x512 Мб
Модуль памяти Kingston KTA-G4/512
SDRAM 100 DIMM 168-контактный, 1x512 Мб
Модуль памяти Kingston KTA-MB1066/4G
DDR3 1066 (PC 8500) SODIMM 204-контактный, 1x4 Гб
Модуль памяти Kingston KVR667D2D4P5/2G
DDR2 667 (PC2 5300) DIMM 240-контактный, 1x2 Гб, буферизованная, ECC, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти Kingston KTA-PB533/1G
DDR2 533 (PC2 4200) SODIMM 200-контактный, 1x1 Гб, 1.8 В
Модуль памяти Transcend TS512MDL8100
RDRAM 750 (PC 6000) RIMM 184-контактный, 2x256 Мб
Модуль памяти Transcend TS512MDL0638
SDRAM 100 DIMM 168-контактный, 1x512 Мб, буферизованная, ECC, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS64MDL0424
SDRAM 100 SODIMM 144-контактный, 1x64 Мб, 3.3 В, CL 2
Модуль памяти Transcend TS512MDL370
DDR2 533 (PC2 4200) DIMM 240-контактный, 1x512 Мб, ECC, 1.8 В, CL 4
Модуль памяти Transcend TS64MSIXPERT
SDRAM 133 DIMM 168-контактный, 1x64 Мб, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS512MSIB100
SDRAM 100 DIMM 168-контактный, 1x512 Мб, буферизованная, ECC, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS128MAS3379
SDRAM 133 DIMM 168-контактный, 1x128 Мб, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS32MAS3379
SDRAM 100 DIMM 168-контактный, 1x32 Мб, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS512MT3311
DDR 333 (PC 2700) SODIMM 200-контактный, 1x512 Мб, 2.5 В, CL 2.5
Модуль памяти Transcend TS512MTB3114
SDRAM 133 DIMM 168-контактный, 1x512 Мб, ECC, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS1GT3311
DDR 333 (PC 2700) SODIMM 200-контактный, 1x1 Гб, 2.5 В, CL 2.5
Модуль памяти Transcend TS256MTB3113
SDRAM 133 DIMM 168-контактный, 1x256 Мб, ECC, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS256MT3311
DDR 333 (PC 2700) SODIMM 200-контактный, 1x256 Мб, 2.5 В, CL 2.5
Модуль памяти Transcend TS128MT9000
SDRAM 133 SODIMM 144-контактный, 1x128 Мб, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS256MT4600
SDRAM 133 SODIMM 144-контактный, 1x256 Мб, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS512MT9000
SDRAM 133 SODIMM 144-контактный, 1x512 Мб, 3.3 В, CL 3
Модуль памяти Transcend TS512MT3128
DDR 266 (PC 2100) SODIMM 200-контактный, 1x512 Мб, 2.5 В, CL 2.5
Модуль памяти Transcend TS1GSYV505
DDR 333 (PC 2700) SODIMM 200-контактный, 1x1 Гб, 2.5 В, CL 2.5
Модуль памяти Transcend TS256MSYTR1A
DDR 266 (PC 2100) MicroDIMM 172-контактный, 1x256 Мб
Модуль памяти Transcend TS256MLK64V1U
DDR3 1066 (PC 8500) DIMM 240-контактный, 1x2 Гб, 1.5 В, CL 7
Модуль памяти Transcend TS64MSQ64V6M
DDR2 667 (PC2 5300) SODIMM 200-контактный, 1x512 Мб, 1.8 В, CL 5
Модуль памяти Transcend TS2GTA100
DDR2 533 (PC2 4200) SODIMM 200-контактный, 1x2 Гб, 1.8 В
Модуль памяти Transcend TS2GDL6000A
DDR2 533 (PC2 4200) SODIMM 200-контактный, 1x2 Гб, 1.8 В, CL 4
Модуль памяти Transcend TS4GFJRM4C
DDR2 533 (PC2 4200) FB-DIMM 240-контактный, 2x2 Гб, буферизованная, ECC
Модуль памяти Transcend TS2GSI2847
DDR 400 (PC 3200) DIMM 184-контактный, 2x1 Гб, 2.6 В, CL 3

...  29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39  41  43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 ...
© 2008–2024 «Ремонт ошибки.ру» - Турецкий сайт в товарами: Ayarlanabilir Briz Perde Çubuğu 60-80 Cm
Администрация сайта ([email protected]) может быть не согласна с мнениями пользователей, высказанных на сайте, и не несет ответственность за информацию и советы, размещенные пользователями. При пользовании данным сайтом вы соглашаетесь с правилами пользования. Использование материалов с сайта без согласия администрации запрещено. Rambler's Top100